|
 |
Название электронного компонента: PHD3N20E Описание PHD3N20E: 200 V, power MOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD3N20E datasheet: 56Kb Скачать PHD3N20E datasheet: PHD3N20E.PDF |