|
 |
Название электронного компонента: PHD5N20E Описание PHD5N20E: 200 V, power MOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD5N20E datasheet: 55Kb Скачать PHD5N20E datasheet: PHD5N20E.PDF |