|
 |
Название электронного компонента: PHD6N10E Описание PHD6N10E: 100 V, power MOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD6N10E datasheet: 57Kb Скачать PHD6N10E datasheet: PHD6N10E.PDF |