|
 |
Название электронного компонента: PHB13N40E Описание PHB13N40E: 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB13N40E datasheet: 104Kb Скачать PHB13N40E datasheet: PHB13N40E.PDF |