Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

PHD2N60E datasheet



datasheet for PHD2N60E by Philips Semiconductors   Название электронного компонента: PHD2N60E

Описание PHD2N60E: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated

Производитель: Philips Semiconductors

Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: SOT (Pins: 3)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер PHD2N60E datasheet: 76Kb

Скачать PHD2N60E datasheet: PHD2N60E.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024