Название электронного компонента: PHD2N60E Описание PHD2N60E: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD2N60E datasheet: 76Kb Скачать PHD2N60E datasheet: PHD2N60E.PDF |