Название электронного компонента: PHD3N40E Описание PHD3N40E: 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD3N40E datasheet: 76Kb Скачать PHD3N40E datasheet: PHD3N40E.PDF |