|
 |
Название электронного компонента: PHB4N60E Описание PHB4N60E: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB4N60E datasheet: 80Kb Скачать PHB4N60E datasheet: PHB4N60E.PDF |