Название электронного компонента: PHB4ND40E Описание PHB4ND40E: 400 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB4ND40E datasheet: 65Kb Скачать PHB4ND40E datasheet: PHB4ND40E.PDF |