Название электронного компонента: PHD4ND40E Описание PHD4ND40E: 400 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD4ND40E datasheet: 65Kb Скачать PHD4ND40E datasheet: PHD4ND40E.PDF |