|
 |
Название электронного компонента: PHB6N50E Описание PHB6N50E: 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB6N50E datasheet: 77Kb Скачать PHB6N50E datasheet: PHB6N50E.PDF |