Название электронного компонента: PHB6N60E Описание PHB6N60E: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB6N60E datasheet: 74Kb Скачать PHB6N60E datasheet: PHB6N60E.PDF |