Название электронного компонента: PHB6ND50E Описание PHB6ND50E: 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB6ND50E datasheet: 64Kb Скачать PHB6ND50E datasheet: PHB6ND50E.PDF |