Название электронного компонента: PHB8ND50E Описание PHB8ND50E: 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB8ND50E datasheet: 73Kb Скачать PHB8ND50E datasheet: PHB8ND50E.PDF |