Название электронного компонента: PHB7N60E Описание PHB7N60E: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB7N60E datasheet: 91Kb Скачать PHB7N60E datasheet: PHB7N60E.PDF |