Название электронного компонента: PHX10N40E Описание PHX10N40E: 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX10N40E datasheet: 74Kb Скачать PHX10N40E datasheet: PHX10N40E.PDF |