Название электронного компонента: PHX1N40E Описание PHX1N40E: 400 V, power MOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX1N40E datasheet: 24Kb Скачать PHX1N40E datasheet: PHX1N40E.PDF |