Название электронного компонента: PHX2N50E Описание PHX2N50E: 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX2N50E datasheet: 77Kb Скачать PHX2N50E datasheet: PHX2N50E.PDF |