|
 |
Название электронного компонента: PHX2N60E Описание PHX2N60E: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX2N60E datasheet: 65Kb Скачать PHX2N60E datasheet: PHX2N60E.PDF |