|
 |
Название электронного компонента: PHX3N60E Описание PHX3N60E: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX3N60E datasheet: 73Kb Скачать PHX3N60E datasheet: PHX3N60E.PDF |