Название электронного компонента: PHX6ND50E Описание PHX6ND50E: 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX6ND50E datasheet: 60Kb Скачать PHX6ND50E datasheet: PHX6ND50E.PDF |