Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

PJ2N5551CT datasheet



datasheet for PJ2N5551CT by   Название электронного компонента: PJ2N5551CT

Описание PJ2N5551CT: 180V; 600mA NPN epitaxial silicon transistor

Производитель: PROMX

Темп. диапазон: Min: -20°C | Max: 85°C

Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер PJ2N5551CT datasheet: 190Kb

Скачать PJ2N5551CT datasheet: PJ2N5551CT.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024