Название электронного компонента: PJ2N5551CT Описание PJ2N5551CT: 180V; 600mA NPN epitaxial silicon transistor Производитель: PROMX Темп. диапазон: Min: -20°C | Max: 85°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PJ2N5551CT datasheet: 190Kb Скачать PJ2N5551CT datasheet: PJ2N5551CT.PDF |