|
 |
Название электронного компонента: PJD669ACK Описание PJD669ACK: 180V; 1.5A; NPN epitaxial silicon transistor Производитель: PROMX Темп. диапазон: Min: -20°C | Max: 85°C Корпус и выводы: TO-126 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PJD669ACK datasheet: 190Kb Скачать PJD669ACK datasheet: PJD669ACK.PDF |