Название электронного компонента: M54587P Описание M54587P: 8-unit 500mA darlington transistor array with clamp diode Производитель: Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor Group Темп. диапазон: Min: -20°C | Max: 75°C Корпус и выводы: 20P4 (Pins: 20) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер M54587P datasheet: 44Kb Скачать M54587P datasheet: M54587P.PDF |