|
 |
Название электронного компонента: M54562P Описание M54562P: 8-unit 500mA source type darlington transistor array with clamp diode Производитель: Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor Group Темп. диапазон: Min: -20°C | Max: 75°C Корпус и выводы: 18P4G (Pins: 18) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер M54562P datasheet: 81Kb Скачать M54562P datasheet: M54562P.PDF |