|
 |
Название электронного компонента: MJD122-1 Описание MJD122-1: NPN darlington transistor for high DC current gain, 100V, 5A Производитель: SGS-Thomson Microelectronics Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-252 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MJD122-1 datasheet: 91Kb Скачать MJD122-1 datasheet: MJD122-1.PDF |