Название электронного компонента: MJD122T4 Описание MJD122T4: NPN darlington transistor for high DC current gain, 100V, 5A Производитель: SGS-Thomson Microelectronics Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-252 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MJD122T4 datasheet: 91Kb Скачать MJD122T4 datasheet: MJD122T4.PDF |