Название электронного компонента: BUK445-200B Описание BUK445-200B: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 200 V. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT186 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUK445-200B datasheet: 72Kb Скачать BUK445-200B datasheet: BUK445-200B.PDF |