Название электронного компонента: BUK446-1000B Описание BUK446-1000B: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 1000 V. Drain current(DC) 1.5 A. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT186 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUK446-1000B datasheet: 63Kb Скачать BUK446-1000B datasheet: BUK446-1000B.PDF |