|
 |
Название электронного компонента: BUK446-800B Описание BUK446-800B: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 800 V. Drain current(DC) 1.7 A. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT186 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUK446-800B datasheet: 64Kb Скачать BUK446-800B datasheet: BUK446-800B.PDF |