|
 |
Название электронного компонента: PNP10N10E Описание PNP10N10E: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 11 A. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 175°C Корпус и выводы: TO220AB (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PNP10N10E datasheet: 71Kb Скачать PNP10N10E datasheet: PNP10N10E.PDF |