|
 |
Название электронного компонента: PNP33N10 Описание PNP33N10: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 34 A. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: TO220AB (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PNP33N10 datasheet: 73Kb Скачать PNP33N10 datasheet: PNP33N10.PDF |