|
 |
Название электронного компонента: PNP18N20E Описание PNP18N20E: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 18 A. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: TO220AB (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PNP18N20E datasheet: 66Kb Скачать PNP18N20E datasheet: PNP18N20E.PDF |