Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

PNP3N20E datasheet



datasheet for PNP3N20E by Philips Semiconductors   Название электронного компонента: PNP3N20E

Описание PNP3N20E: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 3.5 A.

Производитель: Philips Semiconductors

Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C

Корпус и выводы: TO220AB (Pins: 3)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер PNP3N20E datasheet: 64Kb

Скачать PNP3N20E datasheet: PNP3N20E.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024