Название электронного компонента: PNP3N20E Описание PNP3N20E: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 3.5 A. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: TO220AB (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PNP3N20E datasheet: 64Kb Скачать PNP3N20E datasheet: PNP3N20E.PDF |