|
 |
Название электронного компонента: BUK475-200B Описание BUK475-200B: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 7 A. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT186A (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUK475-200B datasheet: 73Kb Скачать BUK475-200B datasheet: BUK475-200B.PDF |