|
 |
Название электронного компонента: BUK553-100B Описание BUK553-100B: PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 12 A. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 175°C Корпус и выводы: TO220AB (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUK553-100B datasheet: 71Kb Скачать BUK553-100B datasheet: BUK553-100B.PDF |