Название электронного компонента: BUK554-200B Описание BUK554-200B: PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 8.2 A. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 175°C Корпус и выводы: TO220AB (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUK554-200B datasheet: 69Kb Скачать BUK554-200B datasheet: BUK554-200B.PDF |