Название электронного компонента: BUK555-200A Описание BUK555-200A: PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 14 A. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 175°C Корпус и выводы: TO220AB (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUK555-200A datasheet: 70Kb Скачать BUK555-200A datasheet: BUK555-200A.PDF |