|
 |
Название электронного компонента: BUK555-200B Описание BUK555-200B: PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 13 A. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 175°C Корпус и выводы: TO220AB (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUK555-200B datasheet: 70Kb Скачать BUK555-200B datasheet: BUK555-200B.PDF |