|
 |
Название электронного компонента: PHB13N40E Описание PHB13N40E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT404 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB13N40E datasheet: 41Kb Скачать PHB13N40E datasheet: PHB13N40E.PDF |