Название электронного компонента: PHD10N10E Описание PHD10N10E: PowerMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 175°C Корпус и выводы: SOT428 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD10N10E datasheet: 76Kb Скачать PHD10N10E datasheet: PHD10N10E.PDF |