Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

PHD10N10E datasheet



datasheet for PHD10N10E by Philips Semiconductors   Название электронного компонента: PHD10N10E

Описание PHD10N10E: PowerMOS transistor

Производитель: Philips Semiconductors

Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 175°C

Корпус и выводы: SOT428 (Pins: 3)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер PHD10N10E datasheet: 76Kb

Скачать PHD10N10E datasheet: PHD10N10E.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024