Название электронного компонента: PHW11N50E Описание PHW11N50E: PowerMOS transistor. Avalancne energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT429 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHW11N50E datasheet: 41Kb Скачать PHW11N50E datasheet: PHW11N50E.PDF |