Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

PHB2N50E datasheet



datasheet for PHB2N50E by Philips Semiconductors   Название электронного компонента: PHB2N50E

Описание PHB2N50E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.

Производитель: Philips Semiconductors

Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: SOT404 (Pins: 3)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер PHB2N50E datasheet: 93Kb

Скачать PHB2N50E datasheet: PHB2N50E.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024