Название электронного компонента: PHD2N50E Описание PHD2N50E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT428 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD2N50E datasheet: 93Kb Скачать PHD2N50E datasheet: PHD2N50E.PDF |