Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

PHD2N50E datasheet



datasheet for PHD2N50E by Philips Semiconductors   Название электронного компонента: PHD2N50E

Описание PHD2N50E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.

Производитель: Philips Semiconductors

Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: SOT428 (Pins: 3)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер PHD2N50E datasheet: 93Kb

Скачать PHD2N50E datasheet: PHD2N50E.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024