|
 |
Название электронного компонента: PHB2N60E Описание PHB2N60E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT404 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB2N60E datasheet: 94Kb Скачать PHB2N60E datasheet: PHB2N60E.PDF |