Название электронного компонента: PHB4ND40E Описание PHB4ND40E: PowerMOS transistor. FREDFET, avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT404 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB4ND40E datasheet: 79Kb Скачать PHB4ND40E datasheet: PHB4ND40E.PDF |