|
 |
Название электронного компонента: PHB8N50E Описание PHB8N50E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT404 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB8N50E datasheet: 90Kb Скачать PHB8N50E datasheet: PHB8N50E.PDF |