Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

PHW8N50E datasheet



datasheet for PHW8N50E by Philips Semiconductors   Название электронного компонента: PHW8N50E

Описание PHW8N50E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.

Производитель: Philips Semiconductors

Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: TO247 (Pins: 3)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер PHW8N50E datasheet: 90Kb

Скачать PHW8N50E datasheet: PHW8N50E.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024