Название электронного компонента: PHW8N50E Описание PHW8N50E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHW8N50E datasheet: 90Kb Скачать PHW8N50E datasheet: PHW8N50E.PDF |