Название электронного компонента: PHX10N40E Описание PHX10N40E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT186A (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX10N40E datasheet: 75Kb Скачать PHX10N40E datasheet: PHX10N40E.PDF |