Название электронного компонента: PHX2N50E Описание PHX2N50E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT186A (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX2N50E datasheet: 78Kb Скачать PHX2N50E datasheet: PHX2N50E.PDF |