Название электронного компонента: PHX3N60E Описание PHX3N60E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT186A (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX3N60E datasheet: 73Kb Скачать PHX3N60E datasheet: PHX3N60E.PDF |